薄膜開關的生長特性受沉積條件的影響，其中主要的因素有沉積速率、基片溫度、原子入射方向、基片表面狀態(tài)及真空度等。
對于不同類型的金屬，沉積速率的影響程度是不同的，這是由于真空沉積的金屬原子在基片上的遷移率與金屬的性質和表面狀況有關。即使是同一種金屬，在不同的工藝條件下，沉積速率對薄膜結構的影響也不完全一致。一般說來，沉積速率會影響膜層中晶粒的大小與晶粒分布的均勻度以及缺陷等。。
在低沉積速率的情況下，金屬原子在基片上遷移的時間比較長，容易到達吸附點位置，或被處于其他吸附點位置上的小島所俘獲而形成粗大的晶粒，使得薄膜的結構粗糙，PET薄膜開關的薄膜不致密。。
同時由于沉積原子到達基片后，后續(xù)原子還沒有及時到達，因而暴露在外時間比較長，容易受殘余氣體分子或沉積過程中引人的雜質的污染，以及產(chǎn)生各種缺陷等。。
因此，沉積速率高一些好.高沉積速率可以使薄膜晶粒細小，結構致密，但由于同時凝結的核很多，在能量上核處于能量比較高的狀態(tài)，所以薄膜開關存在著比較大的內(nèi)應力，同時缺陷也較多。